長鑫存儲第五代技術平台量產
2026-09-21 05:16:15 大公報

【大公報訊】記者趙臣、朱順傑合肥報道:2026世界製造業大會9月20日在安徽省合肥市開幕。本屆大會英國擔任主賓國,共邀請來自全球1000餘位重量級嘉賓,其中包括外國政要及部長級官員、外國駐華使領館官員、國際組織負責人,以及境外世界500強及跨國公司總裁級高管等500餘位外方代表參會。美國、法國、俄羅斯等國有超40家企業組團參展。大會期間,預計共有790個項目簽約,涉及總投資3634.1億元(人民幣,下同)。
在開幕式發布環節,長鑫科技宣布其第五代技術平台已正式量產。
關鍵指標超越國際最先進水平
據長鑫科技集團股份有限公司副總裁駱曉東在發布中介紹,長鑫科技採用創新的四重自對準圖形工藝,製成頂尖業內已量產的最先進工藝平台。通過變革工藝流程,實現器件性能突破,存儲密度大幅提升。「我們用四重曝光技術,把內存陣列語言區域間距做到11.95納米,接近全球量產的最先進水平;我們通過工藝改進、材料迭代,把存儲器電容深寬比做到了45:1,保證了我們數據安全的存儲;我們還開發了適配DRAM工藝的高階電金屬柵工藝,把核心動能區高度降到了6762納米。這個關鍵指標超越了國際最先進的工藝平台。」
駱曉東稱,正是因為長鑫科技在存儲陣列和外圍邏輯陣列都實現了跨越式的微縮,其第五代工藝平台的存儲密度有了大幅度提升。同等條件下,每張晶圓的產出,跟上一代平台相比,提升了50%以上。基於該平台打造的24GB LPDDR 5X產品,現已進入正式量產,並全面進入到國產主流的旗艦手機。
據駱曉東介紹,在第五代平台的研發過程中,長鑫科技還引入了適配DRAM生產的AI大模型和全流程數字孿生仿真技術,大大提升了研發效率。同時,長鑫科技還和國內設備廠商進行聯合攻關,在界面工程、鞍形鰭式結構、低k間隔層位線等核心工藝上實現了突破。