長鑫存儲的4F2進展，是全球技術分歧中頗受關注的中國變量。2026年10月，長鑫科技在第四屆集成芯片和芯粒大會上正式宣布，自研4F2 架構取得關鍵突破，融合4F2架構與混合鍵合技術的新一代DDR5 RDIMM將於2026年底推出，正式切入服務器內存市場。

據悉，長鑫的4F2方案採用自研的VSG（Vertical Surrounded Gate，垂直包圍柵）晶體管結構，通過垂直包圍溝道設計強化柵極控制能力，解決漏電與短溝道效應問題，同時實現單元面積的大幅縮減。從技術積累來看，長鑫自成立起就啟動了4F2研究和專利布局，目前公開相關專利族已超300件。配套工藝方面，長鑫第五代DRAM技術平台（G5平台）已於2026年9月正式量產，每片晶圓裸片數量較上一代提升50%以上，為4F2產品落地打下了工藝基礎。

如果年底產品如期推出，這將是全球首款量產的4F2 DRAM產品，市場指這比記憶體巨企三星早兩年推出。但需要客觀看待的是，服務器級RDIMM對可靠性、兼容性要求極高，首代產品更多具備技術驗證意義，大規模量產良率和市場接受度仍待觀察。\半導體行業觀察