2026年8月26日下午，由賽晶科技(00580.HK)集團主辦的“AIDC供電安全與能效研討會”在深圳成功舉辦。本次研討會聚焦AI時代背景下數據中心供電系統面臨的前沿挑戰，圍繞固態斷路器、固態變壓器、功率半導體、薄膜電容器等關鍵技術方向，匯聚海內外專家學者、客户夥伴及行業媒體等各界來賓70餘人，共同探討高功耗AI數據中心供電安全保障與能效提升路徑。

固態斷路器：微秒級分斷 築牢供電“第一道防線”

在主題分享環節，賽晶科技子公司Astrol首席執行官Michael Geissimann率先帶來《固態斷路器：下一代人工智能數據中心的供電保護》報告。依託Astrol在船舶直流電網領域積累的十餘年固態直流斷路器項目經驗，該公司計劃在中國嘉善建設規模化生產基地，並推出全新B平台固態斷路器產品。

據介紹，該產品適配800V數據中心直流系統，電流覆蓋125A至10,000A，採用IGBT與碳化硅器件，具備微秒級快速分斷能力，採用模塊化機架設計，支持即插即用。報告系統分析了AIDC機櫃、機架、儲能系統及集羣配網等不同層級的保護需求，借鑑船舶直流電網的環網與冗餘母線保護經驗，為算力基礎設施電力保護提供了海外工程實踐參考。

目前，B平台海事及軌道交通版本正在開展認證測試，計劃明年量產;數據中心版本將於今年年底交付首批樣機。

固態變壓器：打通新型電力系統與算力基礎設施的技術連接

清華大學、懷柔國家實驗室趙彪教授隨後發表《支撐新型電力系統構建的固態變壓器創新實踐》主題演講。作為電力電子變壓器國際標準的牽頭制定者，趙彪教授介紹了固態變壓器在新能源、直流輸電、AIDC供電、重卡超充等多場景下的應用價值。

報告重點解讀了新能源大基地全直流彙集方案，指出直流組網可規避交流同步穩定難題，縮減變壓層級、提升傳輸效率。其團隊採用中頻大功率器件路線，通過增大單模塊容量、減少器件數量提升系統可靠性，已落地青海50兆瓦、新疆200兆瓦國家級示範工程。同時，報告對比了碳化硅高頻方案與中頻大功率方案在效率、體積和成本上的取捨，並分享了器件直串、系統無斷路器的電流阻斷等工程方案，為新型電力系統與AI算力基礎設施的技術融合提供了可行路徑。

功率半導體：碳化硅增長強勁 IGBT價值不可替代

賽晶科技子公司SwissSEM首席執行官Lars Knoll帶來《賦能AI時代：面向固態變壓器與數據中心的先進功率半導體及模塊》分享。結合行業數據，他指出碳化硅器件增長勢頭強勁，但硅基IGBT在相當長時間內仍具備不可替代的應用價值。

他介紹了賽晶自研的IGBT與碳化硅MOSFET技術，並重點推介了今年在紐倫堡首發的三大新品——2300V XP高壓模塊、1200V/1400V Easy2B模塊及1200V ED大電流Pin-Fin模塊。針對碳化硅器件，公司通過晶圓缺陷篩選工藝，保障多芯片並聯參數一致性，提高模塊良率。

面向800V直流AI數據中心供電、固態變壓器及固態斷路器場景，Lars Knoll介紹了2300V碳化硅器件的開發進展與高良率實現路徑，提出將推出緊湊型雙向開關模塊，並對比了1200V與1700V器件在導通損耗與系統成本之間的權衡關係，系統解析了算力供電功率半導體的技術演進方向。

薄膜電容器：應對寬禁帶器件高頻化挑戰

賽晶科技子公司寧波海融電器總經理於智強作《寬禁帶器件應用下的薄膜電容器技術發展》專題報告。他指出，寬禁帶器件高頻化帶來了電容器損耗上升、電流分佈不均、內部熱點温差大等挑戰。結合金屬化薄膜電容的自愈特性，他剖析了雜散電感、並聯元件電流偏移等工程痛點，並從優化膜面電流分佈、改進噴金工藝、對稱化母排設計、新材料升級及集成液冷散熱等方面提出瞭解決方案。

經工程驗證，上述方案可有效降低温升、縮小器件温差。於智強同時展望了集成封裝、新型介質材料、智能化在線監測等發展方向，提出高頻大功率場景需要產業鏈協同定製開發，並介紹了下一代薄膜電容器面向AIDC應用的研發方向與工程實踐。

產學研協同，為AIDC供電安全注入新動能

當前，AI算力快速迭代，AIDC對供電可靠性、電能轉換效率提出了前所未有的嚴苛要求。本次賽晶科技主辦的研討會，搭建起中外產學研交流的高效平台，圍繞固態斷路器、固態變壓器、功率半導體、薄膜電容等關鍵裝備，從芯片、器件到系統方案展開深度碰撞。與會專家一致認為，算力基礎設施供電安全與能效提升，已從單一設備優化演變為覆蓋材料、器件、裝備、系統的全鏈條協同創新命題。

賽晶科技方面表示，未來將持續集結全球技術力量，深耕電力電子核心技術，推動關鍵裝備國產化與工程化落地，為AIDC產業的安全、高效、高質量發展提供堅實支撐。